Характеристики
Ядра и потоки
- Cores
- 4
- Threads
- 4
Частоты
- Базовая
- 1.33 ГГц
- Boost
- 2.00 ГГц
Кеш
- L1
- 64 КБ / ядро
- L2
- 2 МБ
TDP и платформа
- TDP
- 18 Вт
- Сокет
- VIA nanoBGA2
PCIe и iGPU
- iGPU
- On certain motherboards (Chipset feature)
Производство
- Техпроцесс
- 28 нм
- Площадь кристалла
- 46 мм²
Конкуренты — соседи по рейтингу