Характеристики
Ядра и потоки
- Cores
- 4
- Threads
- 4
Частоты
- Базовая
- 1.47 ГГц
- Boost
- 1.60 ГГц
Кеш
- L1
- 128 КБ / ядро
- L2
- 1 МБ
TDP и платформа
- TDP
- 28 Вт
- Сокет
- VIA nanoBGA2
PCIe и iGPU
- iGPU
- On certain motherboards (Chipset feature)
Производство
- Техпроцесс
- 40 нм
- Площадь кристалла
- 132 мм²
- Релиз
- 2011-05-12
Конкуренты — соседи по рейтингу